本發明公開了一種批量制備薄層碳負載納米SiO2復合材料的原位發泡工藝,包括如下步驟:葡萄糖、SiO2(200nm)溶于去離子水中,超聲五分鐘形成均勻溶液后逐滴加入硝酸銨溶液中并加熱攪拌得到混合溶液,放入鼓風干燥箱中在120℃的條件下反應7小時,得到前驅體,經700℃熱處理后得到薄層碳負載納米SiO2復合材料。本方法屬于化工原料生產領域,該方法制備的吸波材料具有輕質、寬頻(7.1GHz)、超強吸收(?47.7dB),低密度,可以批量制備等諸多優點,能夠實現在吸波領域大規模應用。
聲明:
“制備薄層碳負載納米二氧化硅材料原位發泡工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)