本公開是高阻薄膜制備方法及高阻薄膜。該方法包括:將預處理后的微通道板放置于原子層沉積設備進行初處理;在初處理后的所述微通道板上進行導電層沉積;在所述導電層上制備復合疊層結構,所述復合疊層結構包括i個循環結構,每個所述循環結構包括n個循環的高阻相和m個循環的低阻相;在所述復合疊層結構上沉積二次電子發射層;對沉積了所述二次電子發射層的所述微通道板進行結晶處理。其中,通過ALD制備出特定比例的高阻系材料與低阻系材料的復合材料,通過調控復合材料中導電相的循環比例,從而可以獲得電阻可控的MCP用高阻薄膜。
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