本發明涉及一種氮化硅晶須增強氮化硅層狀陶瓷制備方法。使用流延法制備氮化硅晶須薄層預制體,然后使用化學氣相滲透工藝在預制體中制備氮化硅基體,得到氮化硅晶須增強氮化硅復合材料。以復合材料為基片,在其兩側重復流延和化學氣相沉積工藝,直至材料厚度達到要求。使用流延法制備的晶須預制體晶須分散均勻,增強體體積分數高?;瘜W氣相沉積工藝相比于燒結可以降低制備溫度,減少對增強體的傷害,且不需使用燒結助劑,減少了雜質相的影響。同時,晶須增韌和層狀復合增韌改善了氮化硅陶瓷的韌性。本發明能夠制備出介電性能和力學性能優異的氮化硅晶須增強氮化硅層狀陶瓷。
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