本發明屬于納米復合材料技術領域,尤其涉及一種橫向納米腔陣列結構SERS基底,由內部設有一個中空腔體的半開放空心微球構成,其在水平方向上設置有一個橫向開孔,所述的半開放空心微球其內層為表面修飾了4?MBA探針分子的TiO2薄膜,在TiO2薄膜外部還鍍有一層貴金屬薄膜。其通過結合模板法制備而成,以等離子體清洗的聚苯乙烯小球陣列為支撐,將TiO2和貴金屬經傾角磁控濺射的手段獲得。本發明克服了現有技術中的SERS基底無法有效構建出電場強度相同而電流密度不同電學環境的缺陷,通過本發明可構建電場強度相同但電流密度不同電學環境,以此可用于研究等離子體誘導的電荷轉移機制以及SERS物理增強與化學增強的中間態理論。
聲明:
“橫向納米腔陣列結構SERS基底及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)