本發明涉及一種納米半導體異質結SnO2@M(M=Ag、Au、Pt)及其制備方法、應用,包括:將納米材料SnO2分散于含有M(M=Ag、Au、Pt)離子或化合物的鹽的溶液中,當SnO2表面充分吸附M(M=Ag、Au、Pt)離子或化合物后,離心分離,將離心后的化合物用去離子水漂洗2?3次;將漂洗后的化合物分散于一定濃度的還原性溶液(NaBH4、VC)中,充分反應然后再離心分離;將所得產物用去離子水漂洗數次,烘干,即得SnO2@M(M=Ag、Au、Pt)納米半導體復合材料。該方法制備成本低、操作簡單容易、耗時少、效率高、穩定性好、環境友好,重復性好、易于普適性和規?;a。本發明制備的半導體復合材料SnO2@M(M=Ag、Au、Pt)在太陽能電池、透明電極材料、光催化、氣敏傳感器等領域中有很好的應用前景。
聲明:
“納米半導體異質結SnO2@M(M=Ag、Au、Pt)及其制備方法、應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)