本發明屬于材料核工業用材料技術領域,尤其涉及一種芯片抗輻照封裝材料及抗輻照封裝工藝,所述芯片抗輻照封裝材料為在塑封料中摻雜寬禁帶半導體顆粒,寬禁帶半導體顆粒的重量占比在10%?75%之間。所述芯片抗輻照封裝工藝為首先在銅基板背面生長一層抗輻照層,在銅基板正面焊接芯片,同時將芯片和銅基板的引腳鍵合;然后稱量塑封料和摻雜顆粒,將塑封料和摻雜顆粒置入預設好攪拌溫度的模具中進行攪拌均勻,待攪拌時間結束后,得到塑封料復合材料;最后將攪拌均勻后的塑封料復合材料進行注塑壓封,并將塑封后的芯片進行引腳電鍍和去除毛刺與飛邊。本發明提升了芯片整體的抗輻照性能和在太空環境下的可靠性,同時提升了芯片器件背部的抗輻照能力。
聲明:
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