本發明提供了一種多孔硅復合負極材料,包括多孔硅基體、復合在所述多孔硅基體表面的第一導電材料層,以及復合在所述第一導電材料層表面的納米硅基材料。本發明首先采用導電材料進行第一次包覆,然后再在導電材料層表面繼續復合納米硅基材料,得到多孔硅復合負極材料,不僅利用了多孔硅材料本身具有的較高首次充放電效率,而且包覆于多孔硅材料表面的導電材料不僅能夠增加復合材料的導電性,還可以抑制多孔硅材料向外膨脹導致破裂,提高了循環穩定性;表面再復合納米硅基材料后,具有更好的循環性能,可以提高多孔硅材料復合材料的循環性能;此外,本發明的制備方法操作簡單、安全、通用性強、生產成本低、適合工業化生產。
聲明:
“多孔硅復合負極材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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