本發明提供了一種三維網狀結構納米SiO2/C復合材料的制備方法,包括以下步驟:稱取高分子聚合物、硅烷化試劑、表面活性劑加入稀鹽酸中,均勻混合,然后加入過氧化二異丙苯,再攪拌加熱、靜置、過濾、水洗、真空干燥,得到交聯硅烷化試劑修飾的高分子聚合物。然后將交聯硅烷化試劑修飾的高分子聚合物放入炭化爐碳化,得到具有三維網狀結構納米SiO2/C復合材料。本發明方法制備工藝簡單,成本低廉,環境友好,適用于大規模生產。
聲明:
“三維網狀結構SiO2/C負極材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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