本發明提供一種基于EB-PVD與Sol-Gel的全固態參比電極制備方法,采用滿足大規模工業生產的EB-PVD技術,在Ti基體上沉積Mo/Ta二元合金薄膜,對制備態薄膜在控制O2氣氛下進行后氧化處理,形成混合金屬氧化物層,使得二元合金膜層具備參比電極功能;以丙烯酰胺及丙烯酸為載體,制備維持電極電位穩定的Sol-Gel復合材料導電功能層;集成所制備的參比電極功能層及導電層,構建具有五層結構的全固態參比電極。本發明EB-PVD的沉積速率較快,能夠在10min~30min內沉積數百微米的功能層薄膜,大大降低了制備時間。制備態的薄膜采用后氧化工藝處理,使得薄膜出現從未氧化到完全氧化的梯度狀態,確保電化學性能的有效性。
聲明:
“基于EB-PVD與Sol-Gel的全固態參比電極制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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