本發明公開了一種SiC陶瓷表面處理方法及其用途,其特征在于,包括下述步驟:先清洗SiC陶瓷表面,然后制備TiH2膏劑,并在陶瓷表面涂敷TiH2膏劑,待干燥后,置于真空爐內熱處理以使TiH2完全分解形成活性Ti,并使Ti與SiC反應在陶瓷體表面形成具有一定金屬性和高穩定性的Ti(C,Si)復合陶瓷層。本發明可在SiC陶瓷-金屬基復合材料或復合部件的制備或SiC陶瓷作為發熱體或鍋體在與熔融有色金屬接觸過程中,阻擋金屬熔體對SiC陶瓷基體的熔解,或提高潤濕性,改善界面結合,從而使得后續制備的復合材料或結構、焊接部件或與金屬熔體接觸的陶瓷部件具有高可靠性、使用壽命長等優點。
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“SiC陶瓷表面處理方法及其用途” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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