本發明公開了一種低功耗抗疲勞的相變存儲單元,包括:下電極,位于下電極之上的介質材料過渡層,位于介質材料過渡層之上的復合相變材料層以及復合相變材料層之上的上電極;介質材料過渡層采用第一介質材料,為Ta2O5、TiO2、CeO2中的一種或多種;復合相變材料層為相變材料和第二介質材料構成的復合材料,第二介質材料為SiO2、HfO2、Ta2O5、TiO2、CeO2中的一種或多種。本發明還提供了制備該低功耗抗疲勞的相變存儲單元的方法,所得相變存儲單元可減小熱量損失,防止相變材料揮發,提高熱穩定性,優化界面,減小相變前后應力變化,有利于器件性能的穩定,一方面降低了器件功耗,另一方面提高了器件的抗疲勞特性。
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“低功耗抗疲勞的相變存儲單元及制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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