本發明提供了一種鉍系半導體Bi2MO6復合g?C3N4的制備方法,屬于復合材料技術領域。具體制備方法的步驟為:首先通過煅燒法制備得到g?C3N4,然后對其進行半導體復合,實現了Bi2MO6的復合,制備得到了一種鉍系半導體Bi2MO6復合的g?C3N4。該半導體復合材料原料廉價易得,制備方法簡單,制造成本低,綠色環保,化學性能穩定,為高性能光催化材料的開發和應用提供思路。
聲明:
“鉍系半導體Bi2MO6復合g-C3N4的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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