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    使用了包含硫原子的氣體分子的等離子體蝕刻方法

    1034   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-18 17:20:40
    提供一種等離子體蝕刻方法,其在半導體制造工藝中,可以對掩模材料選擇性地加工由SiO2、SiN之類的單獨的材料、或SiO2、SiN的復合材料形成的膜,而且加工時得到良好的垂直加工形狀。將包含通式(1):Rf1?S?Rf2(1)(式中,Rf1為CxHyFz所示的一價的有機基團,Rf2為CaHbFc所示的一價的有機基團)式(1)所示的具有硫醚骨架的氣體化合物的混合氣體、或將單獨進行等離子體化,對由SiO2、SiN之類的單獨的材料、或復合材料形成的膜進行蝕刻,從而與使用通常的氫氟碳氣體的情況相比,氟原子的含量少,而且包含硫原子的保護膜沉積,從而可以實現改善與掩模材料、其它非蝕刻對象材料的選擇性、降低對側壁的損傷、抑制向橫向的蝕刻等。
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