本發明提供一種放熱特性優異、且冷熱循環負載時能夠抑制熱應力作用于半導體元件的絕緣基板、使用該絕緣基板的絕緣電路基板和半導體裝置、以及絕緣基板的制造方法和絕緣電路基板的制造方法。一種絕緣基板(10),包括金屬基復合材料構成的基板主體(11)、以及形成在該基板主體(11)的一面上的絕緣被膜(15),其特征在于,基板主體(11)從室溫至200℃的熱膨脹系數設定為10×10-6/℃以下,熱傳導率設定為190W/(m·K)以上,抗彎強度設定為30MPa以上,絕緣被膜(15)通過使絕緣性材料構成的粉末碰撞到基板主體(11)的一面上而形成。
聲明:
“絕緣基板、絕緣電路基板及其制造方法以及半導體裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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