本發明提供一種尼龍1/聚偏二氟乙烯復合介電薄膜及其制備方法,涉及復合材料技術領域。其組成以重量百分比計:聚偏二氟乙烯80?99%,尼龍1為1?20%。本發明進一步提供尼龍1/聚偏二氟乙烯復合介電薄膜的制備方法,將聚偏二氟乙烯和尼龍1混合,在轉矩流變儀上180?200℃下混煉10?20分鐘;混煉后得到的產物在平板硫化機上于180?200℃下熱壓10?20分鐘,室溫保壓3?10分鐘,獲得尼龍1/聚偏二氟乙烯復合介電薄膜。本發明提高了聚偏二氟乙烯的介電常數的同時使得其介電損耗保持在較低水平,降低了由于相容性不好導致的各種問題,從而提高了聚偏二氟乙烯的功能特性。
聲明:
“尼龍1/聚偏二氟乙烯復合介電薄膜及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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