本發明公開了一種高k柵介質材料及其制備方法,屬于半導體 技術領域,尤其涉及金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)的 應用領域,這種高k柵介質材料為氧化鉺-氧化鋁(Er2O3-Al2O3, ErAlO)復合材料,采用射頻磁控濺射制備方法,濺射靶為Er2O3和 Al2O3混合陶瓷靶,在P型Si(100)襯底上制備得到ErAlO非晶柵介質 復合氧化物薄膜,經檢測,本發明的ErAlO薄膜具有良好的熱穩定 性、良好的平整度和低的漏電流密度,可取代SiO2成為一種新型高k 柵介質材料。
聲明:
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