本發明提供了一種g?C3N4/CsPbI3/TiO2納米管陣列的制備方法,屬于納米復合材料技術領域。具體制備方法的步驟為:通過金屬鈦或鈦合金的電化學陽極氧化法首先制備納米管陣列結構;然后在馬弗爐中進行晶化處理,得到TiO2納米管陣列;再將CsPbI3納米粒子加入g?C3N4懸浮液中,得到含CsPbI3和g?C3N4的混合溶液;最后將TiO2納米管陣列與混合溶液反應,制備得到g?C3N4/CsPbI3/TiO2納米管陣列。該改性處理方法在充分發揮納米管有序陣列的優勢的同時,實現了兩種半導體材料的多元復合改性。制備得到的g?C3N4/CsPbI3/TiO2納米管陣列,比表面積大,對太陽光的響應吸收范圍寬,可作為高性能的復合電極,為高性能光催化劑的設計提供支撐。
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