本發明涉及一種石墨烯-氮化硼異質相復合薄膜材料的制備方法。目前石墨烯和氮化硼原子層薄膜的均可通過化學氣相沉積法生長,石墨烯氮化硼異質相薄膜通過分步石墨烯和氮化硼然后轉移至基底表面實現復合薄膜的制備,這種方法往往造成石墨烯與氮化硼界面的污染,影響復合薄膜的電學性能。在石墨烯表面生長氮化硼往往獲得同一原子層面內的氮化硼與石墨烯復合材料。本方法采用分步合成方法,首先合成氮化硼,然后在氮化硼與金屬催化劑界面層處生長石墨烯,獲得石墨烯氮化硼異質相薄膜材料。該方法制備的石墨烯與氮化硼界面處清潔無污染,對于提高復合的電學性能是有益的。
聲明:
“石墨烯-氮化硼異質相復合薄膜材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)