一種晶界調控n型碲化鉍薄膜性能的方法,涉及一種熱電材料調控方法,屬于新能源材料領域,本發明方法解決現有技術中晶界結構和化學性質隨著溫度、壓力和化學勢等熱力學參數的變化產生不連續地變化等問題。該方法包括以下過程:第一步以商用Bi2Te3靶和Te靶為靶材,采用磁控濺射技術在加熱基底上制備n型Bi2Te3薄膜。第二步以商用Sn為原料,采用蒸發技術,在n型Bi2Te3薄膜的表面鍍上Sn。第三步采用保護氣退火爐對鍍Sn后的n型Bi2Te3在高溫下退火后,隨爐冷卻,以獲得高性能的n型Bi2Te3薄膜。本發明方法為低溫發電微型器件的性能優化提供高性能、低成本、設備簡單、工藝簡單、操作易控、性能均勻、穩定的優化工藝方案。
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