本發明公開了用于大功率瞬態抑制二極管的氮化鋁基材及焊接方法,涉及半導體封裝技術領域。本發明采用氮化鋁基材作為導電框架,導電框架采用整面的氮化鋁基材作為表面,進行鍍銅工藝制成焊接硅片管腳Pad;氮化鋁基材的連接方式使用金手指,氮化鋁基材的上部框架的折彎高度為加載芯片高度加上錫膏厚度之和的1.2倍;氮化鋁基材的正面覆銅。本發明減少了芯片熱擊穿失效的概率,大幅度解決了瞬變過程中的高di/dt瞬態產生的電磁干擾EMI問題,提高了芯片與基板之間的絕緣性;采用氮化鋁材料具有與芯片襯底Si相匹配的膨脹系數,降低了產品因膨脹系數差異的失效,在5G基站、新能源、電動汽車等應用場景具有很好的市場前景。
聲明:
“用于大功率瞬態抑制二極管的氮化鋁基材及焊接方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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