本發明涉及一種Cu(In1-xGax)Se2薄膜及其制備和應用,屬于新能源及新材料制備領域,具體涉及太陽能電池薄膜制備領域。該制備方法采用單靶磁控濺射技術和快速熱處理技術相結合制備銅銦鎵硒薄膜,整個制備過程無硒化步驟。制得的銅銦鎵硒薄膜具有黃銅礦物相結構,可用作太陽能電池的光吸收層。本發明所述方法工藝簡單,膜基附著性強、無需硒化處理、利于環保和節能、便于大面積生產。
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“Cu(In1-xGax)Se2薄膜及其制備和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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