本實用新型屬光電轉換與新能源領域,為解決現有技術中氧化鐵光陽極不能實現完全光解水的技術問題,提出可完全光解水的內嵌硅pn結的氧化鐵光陽極體系,包括氧化鐵吸收層、p型硅摻雜層、n型硅基底、背導電層、背防水絕緣層;所述的p型硅摻雜層與n型硅基底構成硅pn結;硅pn結的形貌為金字塔陣列結構;p型硅摻雜層與氧化鐵吸收層之間設置有透明導電隧穿層。內嵌硅pn結使得硅層吸收入射光時產生較大的光電壓,此光電壓將與氧化鐵吸收層形成串聯關系,相當于外加了此大小的電壓于氧化鐵層,將有效降低氧化鐵光陽極的開啟電壓,提高了氧化鐵吸收層的導電率及其光生載流子的收集效率,從而實現了完全光解水。
聲明:
“可完全光解水的內嵌硅pn結的氧化鐵光陽極體系” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)