本發明公開了一種薄膜鈮酸鋰光波導與InP基光電探測器異質集成結構,該結構主要包括InP基光電探測器外延層、耦合層、薄膜鈮酸鋰光波導、緩沖層和襯底;InP基光電探測器外延層通過耦合層集成于薄膜鈮酸鋰光波導正上方,緩沖層和襯底依次分布于薄膜鈮酸鋰光波導下方;沿薄膜鈮酸鋰光波導傳輸至InP基光電探測器的光信號通過倏逝波耦合機制,從薄膜鈮酸鋰光波導透過耦合層先耦合進入其正上方的InP基錐形過渡區,再進入InP基光電探測器外延層,實現薄膜鈮酸鋰光波導與InP基光電探測器外延層片上異質集成,滿足薄膜鈮酸鋰光芯片和InP基光電探測器芯片的低損耗異質集成需求。
聲明:
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