本發明公開一種可調節雙折射率差的1310nm波長的Y切Z傳鈮酸鋰波導的制備方法,所述雙折射率差值的范圍在1.5×10-5~4.8×10-3,所述制備方法包括:在清洗干凈的Y切鈮酸鋰晶片上蒸發一層鈦膜,所述鈦膜的厚度為65nm~105nm;對所述鈦膜進行腐蝕,在所述Y切鈮酸鋰晶片表面形成沿所述Y切鈮酸鋰晶片Z方向延伸的鈦條,得到包括所述Y切鈮酸鋰晶片以及所述鈦條的芯片,所述鈦條的寬度為6μm~8.5μm;將清洗干凈的所述芯片置于通入濕氧且設定擴散溫度的環境下,靜止擴散時間后取出所述芯片即為所述Y切Z傳鈮酸鋰波導,所述擴散時間為6小時~12小時。本發明通過選擇鈦膜的厚度、鈦條的寬度或者擴散時間,從而能夠很好地調節Y切Z傳鈮酸鋰波導的雙折射率差。
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