本發明涉及一種控制鐵電薄膜取向生長技術。本發明基于鈮酸鋰具有自發極化這一事實提出了用外加電場誘導鈮酸鋰薄膜取向生長的方法。在薄膜生長系統中垂直于薄膜的方向施加一個低電場,使生長中的薄膜鐵電疇沿電場方向取向排列,從而達到取向生長目的??梢杂妹}沖激光閃蒸法、化學氣相淀積、磁控濺射等多種技術實現這一方法。本發明施加電場和薄膜生長合二為一,兩者原位同步進行。所需的電場可以是極低的,在10V/cm量級。
聲明:
“用電場誘導鈮酸鋰鐵電薄膜取向生長的方法及裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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