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    硅基光電子器件的硅和鈮酸鋰異質鍵合方法

    797   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-18 21:29:42
    本發明屬于集成光子學領域,具體涉及一種硅基光電子器件的硅和鈮酸鋰異質鍵合方法。本發明通過對BCB進行稀釋,搭配相應的旋涂工藝實現BCB鍵合層的厚度控制,以滿足硅基光電子器件對引入的鍵合層厚度要求,在保證硅和鈮酸鋰鍵合強度的基礎上,得到了厚度在200nm以下的BCB鍵合層。并針對鍵合過程中,出現稀釋后BCB旋涂和預鍵合效果差的問題,采用兩次等離子體活化技術對欲鍵合界面進行處理,以改善了旋涂和預鍵合效果。對于250℃退火固化溫度下,由于熱失配導致的鈮酸鋰裂片現象,通過將退火最高溫度控制在200℃,同時延長保溫時間,使裂片問題得以解決。本發明的鍵合技術為制備低成本、高質量的電光調制器等光學器件提供了工藝支撐。
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