一種大尺寸、高質量鋁酸鋰晶片的制備方法,其特征是將提拉法(Cz)和氣相傳輸平衡法結合起來制備大尺寸高質量的鋁酸鋰單晶片。本發明制備方法主要可分為兩個步驟:(1)用提拉法快速生長出大尺寸(≥2英寸)鋁酸鋰晶體;(2)從所得的晶體上切取所需要的晶片,采用氣相傳輸平衡法對晶片進行處理,可大幅度提高晶片質量,得到高質量的晶片。本發明方法簡單,成本低,周期短,可用于解決GaN基LEDs和LDs器件制作中的關鍵問題,具有廣闊的應用前景和巨大的經濟和社會效益。
聲明:
“大尺寸高質量鋁酸鋰晶片的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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