本發明屬于半導體器件加工制造技術領域,公開了一種鈮酸鋰單晶薄膜疇壁增強力電耦合響應器件的制備方法,利用原子力顯微鏡在鈮酸鋰單晶薄膜上施加電壓實現電疇翻轉,采用光刻工藝在已經實現電疇翻轉的鈮酸鋰薄膜/硅基鍵合片表面進行對準標記制備并完成金屬電極濺射,使用IBE干法刻蝕和RIE工藝實現鈮酸鋰和二氧化硅層的圖形化,最后采用深硅技術刻蝕剩余硅層并封裝,完成器件制備。本發明采用鐵電材料電疇調控和MEMS微納加工工藝相結合,制備鈮酸鋰單晶薄膜力電耦合器件,有效解決傳統力電耦合器件力電耦合效率低和功能集成化低等問題,制得器件無鉛無毒,使用壽命長,可重復使用,具有對環境友好、穩定性高、靈敏度高和寬溫區等優點。
聲明:
“鈮酸鋰單晶薄膜疇壁增強力電耦合響應器件制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)