本發明的目的在于提供一種不需要減壓工序、多達數次的還原處理,并且通過新型的還原處理制造均質性高的體積電阻率為1×1010Ω·cm以上并小于1×1012Ω·cm的鉭酸鋰單晶基板的方法。本發明的特征在于,將體積電阻率為1×1012Ω·cm以上且為單疇結構的鉭酸鋰單晶基板埋入碳酸鋰粉末中,在常壓下、惰性氣體和還原性氣體的混合氣體氛圍中,以350℃以上且居里溫度以下的溫度進行熱處理。另外,在這種情況下,優選混合氣體中的還原性氣體的濃度為20.0%以下。
聲明:
“鉭酸鋰單晶基板的制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)