本發明屬于鈮酸鋰單晶的生長方法。采用電阻爐 提拉法生長鈮酸鋰單晶,在電阻爐爐膛的上部空間 裝置一耐火材料錐面熱輻射罩,使液面上部的溫度 梯度降低到 ,晶體所在的空 間溫度保持在居里點之上,并用鉑銠籽晶桿代替鉑 籽晶桿。拉制的單晶直徑在Φ120-200m/m,重量在 5-10kg,大大提高了晶體生長效率,節省了人力和 能源。
聲明:
“大直徑鈮酸鋰單晶生長設備及工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)