本發明公開了用于鋰電池充電系統的VDMOS芯片包括襯底、第一外延層、自第一外延層延伸至襯底的溝槽,自第一外延層向溝槽內交錯形成第二外延層、第三外延層,第一外延層上位于溝槽兩側的氧化層、位于氧化層之間的開口及位于開口內的多晶硅層,形成在溝槽兩側的第一外延層內與部分氧化層連接的第一注入區、第一外延層內位于第一注入區上的第二注入區、自襯底延伸至溝槽內與第一外延層和第三外延層連接的第三注入區,多晶硅層上與部分第二注入區連接的介質層、第一金屬層、第二金屬層及第三金屬層。本發明還提供用于鋰電池充電系統的VDMOS芯片制備方法,有效確保電池和充電系統免受過溫損毀,提升過溫反饋速度和鋰電池充電系統可靠性。
聲明:
“用于鋰電池充電系統的VDMOS芯片及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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