本實用新型提供一種NLDMOS器件,還提供了一種鋰電保護器件。其中實施例中NLDMOS器件包括P型襯底、柵極,分別位于柵極兩側的源極和漏極,位于P型襯底底部的Body區域;其中,柵極、源極和漏極從NLDMOS器件的表面引出;Body區域從NLDMOS器件的底部引出。本實用新型縮小了NLDMOS器件的面積。
聲明:
“NLDMOS器件、鋰電保護器件、芯片及電子產品” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)