本實用新型提供一種NLDMOS器件,還提供了一種鋰電保護器件、芯片及電子產品。其中實施例中NLDMOS器件包括BN區域;位于所述BN區域上方的N型阱區;位于所述N型阱區的深孔區域,所述深孔區域連接所述BN區域,且在所述深孔區域填充金屬引出漏極,從而使得漏極N+區域與所述BN區域導通;本實用新型縮小了NLDMOS器件的面積。
聲明:
“NLDMOS器件、鋰電保護器件、芯片及電子產品” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)