一種制備高質量非極性GaN自支撐襯底的方法, 利用鋁酸鋰或鎵酸鋰襯底制備高質量非極性GaN自支撐襯底, 鋁酸鋰或鎵酸鋰襯底的清洗和處理放入反應器中后,升溫至生 長溫度在800~950℃條件下,以 NH3和HCl為原料氣生長,直到 生長完成。本發明的特點是:由于鋁酸鋰(001)或鎵酸鋰和 GaN(11-20)的晶格常數基本一致,沒有很大的結構失配,生 長得到的GaN薄膜位錯密度較低,質量較高。
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