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    含有機硅烷化合物的絕緣膜用材料及其制法及半導體裝置

    1074   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-18 23:02:47
    本發明提供了適用于半導體裝置用層間絕緣材 料的、由仲烴基或叔烴基與硅原子直接相連的硅烷化合物通過 化學氣相成長法形成的絕緣膜用材料、由該材料形成的絕緣膜 及使用該絕緣膜的半導體裝置。所述絕緣膜用材料含通式(1) 表示的有機硅烷化合物,該材料通過使有機鹵化物與金屬鋰反 應生成叔碳原子和鋰直接連接的有機鋰,再使該有機鋰與鹵代 烷氧基硅烷或四烷氧基硅烷反應而制得。式中, R1、 R2、 R3表示碳原子數1~20的烴基, R1、 R2、 R3可相互結合形成環狀結構, R4表示碳原子數1~10的烴基或 氫原子,n表示1~3的整數。
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