本發明公開了光學晶體制備技術領域的一種非線性光學晶體的制備方法,該方法的具體步驟如下:S1:將含鋰化合物基片切割成方形片,將其置入80~90℃的氫氟酸中煮10~20min,取出后用去離子水沖洗,并用氮氣吹干;S2:將光刻膠溶液均勻噴灑至含鋰化合物方形片的表面;S3:在烘干機中將光刻膠中的溶劑部分烘干;S4:在低氣壓下對含鋰化合物方形片進行磁控濺射;S5:隨后將含鋰化合物方形片進行濕法腐蝕;S6:將含鋰化合物方形片裝入夾具并連入電路中進行極化處理,本發明具有較寬的激光波段,硬度適中,易于加工和保存,不會出現潮解的現象,利用該晶體所制成的非線性光學器件,在室溫下,其激光強度是普通非線光學材料的1.5倍。
聲明:
“非線性光學晶體的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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