本申請提供了負極極片、電化學裝置和電子裝置。負極極片包括集流體、第一活性材料層和第二活性材料層。第一活性材料層位于集流體和第二活性材料層之間。第一活性材料層包括硅基材料。第二活性材料層包括鈦酸鋰,鈦酸鋰的平均粒徑為1nm至1500nm。本申請的實施例通過在第二活性材料層中包括鈦酸鋰,由于鈦酸鋰的結構穩定,在電化學裝置的循環過程中幾乎零應變,與電解液的副反應較少,可以抑制下面的第一活性材料層中的硅基材料顆粒與電解液的反應活性,降低電化學裝置的循環膨脹。
聲明:
“負極極片、電化學裝置和電子裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)