本發明公開了一種制造近化學計量比的單晶薄膜的方法,該方法包括:通過離子注入法將離子注入原始基板的表面,從而在原始基板中形成薄膜層、分離層和余質層;使目標基板與原始基板的薄膜層接觸,進而利用晶片鍵合法將原始基板與目標基板鍵合在一起,以形成鍵合體;對鍵合體進行加熱,使得薄膜層和余質層分離;在薄膜層和余質層分離之后,在裝有擴散劑的預定容器內以200℃~700℃的溫度對薄膜層加熱,其中,擴散劑包括氧化鋰和硝酸鋰中的至少一種。本發明的方法,可以有效地避免單晶薄膜缺失鋰相的問題,制作出納米級厚度、膜厚均勻、組分接近理想化學計量比的單晶薄膜。
聲明:
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