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    包含膦氧化物基質和金屬鹽的半導體材料

    1111   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-18 23:22:36
    本發明涉及一種半導體材料,其包含根據式(I)的化合物:其中R1、R2和R3獨立地選自C1?C30?烷基、C3?C30環烷基、C2?C30?雜烷基、C6?C30?芳基、C2?C30?雜芳基、C1?C30?烷氧基、C3?C30?環烷氧基、C6?C30?芳氧基和通式E?A?所示的結構單元,其中A是亞苯基間隔基單元,E是電子傳輸單元,其選自C10?C60芳基和包含至多6個獨立地選自O、S、P、Si和B的雜原子的C6?C60雜芳基,并包含至少10個離域電子的共軛體系,選自R1、R2和R3的至少一個基團由所述通式E?A?所示,以及涉及至少一種式(II)的鋰絡合物其中A1是C6?C30亞芳基或在芳香環中包含至少一個選自O、S和N的原子的C2?C30亞雜芳基,并且每個A2?A3獨立地選自C6?C30芳基和在芳香環中包含至少一個選自O、S和N的原子的C2?C30雜芳基。還公開了一種電子器件,其包含陰極、陽極和在所述陰極與陽極之間的根據權利要求1?9任一項的半導體材料。此外,公開了化合物和電子器件。
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