本發明屬于全固態鋰電池技術領域,特別涉及一種降低氧化物無機固態電解質晶界電阻的方法。先制備氧化物無機固態電解質二維納米片分散液;再將分散液中的氧化物無機固態電解質二維納米片堆疊在基膜上形成層狀框架;再將g?C3N4的前驅體溶液引入層狀框架中;最后在惰性氛圍下煅燒處理,得到原位生長g?C3N4修飾層的層狀氧化物無機固態電解質膜。本發明提供了一種降低氧化物無機固態電解質晶界電阻的方法,所用的g?C3N4晶界修飾無需高溫燒結,同時修飾晶界后,獲得的薄型層狀無機固態電解質具有良好的室溫離子電導率和高的機械強度,并且能很好抑制鋰枝晶生長。電解質所組裝的電池具有優異的循環壽命及高的安全性,降低電池的容量衰減,增加了電池的壽命。
聲明:
“降低氧化物無機固態電解質晶界電阻的方法、所制得的膜及其應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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