本發明公開了一種單晶單疇壓電薄膜及其制備方法,單晶單疇壓電薄膜依次包括單晶薄膜層、二氧化硅層、介質層和單晶硅層;其中單晶薄膜層的材料為單晶鈮酸鋰或單晶鉭酸鋰;介質層為單晶硅的損傷層、非晶硅或多晶硅;本發明的單晶單疇壓電薄膜的壓電系數為體材料的98%~100%,而采用現有技術的壓電系數為體材料的10~90%,單疇單晶薄膜在使用時壓電性能穩定,機電耦合系數不會下降,器件帶寬寬、損耗低,一致性好;本發明的制備方法成本低、能耗低、效率高,適用于工業生產,成品率高;所得薄膜中數十納米的二氧化硅層都可以達到厚度可控、厚度偏差小、表面平整、均勻性好的效果,因而所得器件具有較好的一致性。
聲明:
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