本發明提供具有合適的熱穩定性、合適的揮發性,適宜于作為CVD法或ALD法原料的化合物,該化合物的制備方法、該化合物作為原料形成的薄膜和薄膜形成方法。通式(1)表示的化合物通過使通式(2)表示的化合物與通式(3)表示的化合物反應制備。使用制備的該化合物為原料形成含金屬薄膜。(在通式中,M表示第4族原子、鋁原子、鎵原子等;根據情況n是2或3;R1和R3各自表示具有1-6個碳原子的烷基等;R2表示具有1-6個碳原子的烷基等;R4和R5各自表示具有1-4個碳原子的烷基等;X表示氫原子、鋰原子或鈉原子;根據情況p是1或2;和根據情況q是4或6)。
聲明:
“含有金屬的化合物,其制備方法、含有金屬的薄膜和其形成方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)