本發明公開了一種單晶核殼結構高鎳富鈷正極材料的合成方法,屬于鋰離子電池材料領域。本發明通過溶劑熱?共沉淀復合方法合成一種單晶且具有核殼結構的高鎳富鈷層狀正極材料。本發明能有效抑制高鎳層狀材料在4.2V處的非穩態相變,且抑制了微裂紋由顆粒內向表面蔓延,大大提升了其循環性能。該策略優點在于從根本上解決了高鎳三元材料循環衰減嚴重的問題,效果顯著,對規?;I生產的意義重大。
聲明:
“單晶核殼結構高鎳富鈷正極材料的合成方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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