本發明提供一種提高FIB刻蝕超淺光柵結構側壁垂直度的方法及系統,涉及離子束加工技術領域,包括:步驟S1:在目標材料上制備掩膜層;步驟S2:根據需要刻蝕的光柵結構設計優化FIB刻蝕參數;步驟S3:利用FIB刻蝕參數從掩膜層表面開始刻蝕,刻蝕深度至目標材料表面以下;步驟S4:去除掩膜層,在目標材料表面形成高側壁垂直度的超淺光柵結構。本發明能夠在鈮酸鋰等非導電材料表面實現刻蝕深度100nm以下、深度可控精度小于10nm、側壁垂直度80°以上的超淺光柵結構。
聲明:
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