一種動態隨機存取存儲器絕緣層上有硅的結構 和制作方法包括 : 一氧化埋層上覆蓋有硅表層且在硅基底之上 多個場氧化區域, 形成并延伸過該基底的硅表層, 且與該硅氧化 埋層接觸; 多個柵極氧化層、多個柵電極和多個源/漏極區; 一渠 溝, 開放并穿過轉換場效應晶體管的源/漏極區間; 沉積一多晶硅 層以排列渠溝, 并對該多晶硅層構圖以形成至少部分存儲電容 器的低電極; 多個低電容電極, 覆蓋著一薄介電層; 一摻雜多晶硅 的高電容電極。
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