本發明公開了一種微米級五邊形氧化亞錫構成的薄膜的制備方法,該方法采用商品氧化亞錫作為前驅物,硅片作為基底,使用氣相沉積法成功得到了微米級五邊形氧化亞錫構成的薄膜材料。對于氧化亞錫薄膜的制備,該方法所需原料簡單易獲取,成本較低且無廢棄物產生。制備工藝操作簡單,不受環境因素限制。氧化亞錫由于其特殊的光學和電學性能,使得其在光電領域的應用非常廣,因此被廣泛用于催化劑、還原劑、薄膜晶體管、鋰電池電極及超大容量儲器等領域。本發明創新了氧化亞錫薄膜制備的研究思路,為氧化亞錫薄膜的光電性能研究奠定基礎。
聲明:
“由微米級五邊形氧化亞錫構成的薄膜及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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