本發明涉及一種三氧化鉬四方納米片的制備方法,其特征在于步驟如下:將鉬源、硫源及還原劑溶于溶劑中,通過離心攪拌使其均勻的分散到溶液中,移入不銹鋼反應釜,密封,恒溫100℃~300℃反應24h后,冷卻至室溫,得到反應產物,分離上述反應產物,洗滌、干燥,得到前驅體MoS2;將MoS2納米材料置于管式爐中,在空氣或氧氣氣氛中,300℃~600℃下恒溫保溫24h,退火0.5~5h得到MoO3四方納米片,厚度在100-150nm,大小1~2μm。本發明方法的原料易得、價格低廉,制備工藝簡單、參數易控,生產過程安全環保,其能在氣敏、磁性及鋰電材料等方面廣泛應用。
聲明:
“三氧化鉬四方納米片的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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