本發明涉及一種碳布負載的NiS?MoS2異質納米片陣列結構及其制備方法,屬于納米材料制備技術領域。本發明提出的復合材料是在導電的三維碳纖維布載體表面均勻生長著的具有多級三維框架式結構的、成陣列狀的NiS?MoS2異質納米片結構,其中MoS2包覆在NiS的表面。本發明在反應釜中,分別以醋酸鎳、鉬酸銨和硫脲作為鎳源、鉬源和硫源,十二烷基硫酸鈉為表面活性劑,通過一步水熱法,直接在碳布上生長得到NiS?MoS2異質納米片陣列結構。該方法具有條件可控、設備工藝簡單、產量大、成本低及環境友好等優點。所獲得的異質納米結構產物純度高,形貌和組成可控。這種納米結構材料在電化學催化(制氫、制氧)、儲能(超級電容器、鋰離子電池)等方面具有廣泛的應用前景。
聲明:
“碳布負載的硫化鎳-硫化鉬異質納米片陣列結構及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)