本發明涉及SnO2@PPy納米薄膜結構材料及其制備方法,其為生長在泡沫鎳上的SnO2納米棒表面被聚合物吡咯(PPy)包覆,所述的聚合物吡咯形成薄膜的厚度為0.8~1.5μm,其采用下述方法制得,包括有以下步驟:1)將吡咯單體分散在高氯酸鋰乙腈溶液中,混合攪拌30min;2)以已經生長SnO2納米棒陣列的泡沫鎳為工作電極,以Ag/AgCl為參比電極,以鉑電極為對電極進行電沉積2000s,電流密度1.6mA/cm2,洗滌即得。本發明的有益效果是:采用電化學沉積的方法將PPy生長在SnO2納米棒的表面,這樣可以起到緩沖層的作用,不僅提高了材料電導率,改善了電極材料的循環穩定性。
聲明:
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