本發明提供了一種磷酸三鎵晶體的助熔劑生長法。該方法是將磷酸二氫銨、氧化鎵、碳酸鋰、氧化鉬按1∶2.44∶(1.96~4.41)∶(11.45~25.77)重量比稱量,混和均勻后放入鉑金坩堝,在生長爐中加熱熔融,再冷卻至熔液飽和點溫度之上10~20℃,得到Ga3PO7與助熔劑的混和熔體;將籽晶引入生長爐,在溫度降至飽和點以上1~2℃時,下入籽晶,同時以30轉/每分鐘的旋轉速率旋轉,待籽晶開始熔化后,降溫生長,生長結束后,從熔液中提出晶體,以20~30℃/小時的降溫速率降至200℃后,自然冷卻至室溫即得厘米級尺寸的Ga3PO7晶體。本發明設備簡單、生長速度快、容易操作,可以獲得大尺寸的光學質量好的Ga3PO7單晶。
聲明:
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